Kwartswafersubstraat
Kwartswafersubstrate zien wafers die veural gemaak zien vaan hoeg-zuuverheidskwarts (SiO2), väöl gebruuk in houfgeleiders, optoelektronica, micro-elektromechanische systeme (MEMS), optische apparate en aandere velde.
Besjrieving
Materiale eigensjappe
- Hoogzuverheid:Normaal gesproke gemaak vaan synthetisch kwarts (bijv. gesmolte silica), mit ‘n extreem hoege zuuverheid (groeter es of geliek aan 99,99%) en minimale onzuiverhede um te veurkomme dat ‘t de prestaties vaan ‘t apparaat beïnvlood.
- Thermische stabiliteit:Lieg thermische oetbreiingscoëffisjent (≈0,55×10−6/ graod ) en hoeg-temperatuurweerstand (zachtingspunt ~1600 graod ), gesjik veur hoeg-temperatuurprocesse.
- Optische prestaties:Breid euverdrachsbereik (UV tot IR), mit oetzonderlike UV-euverdrach, ideaal veur fotomaskers, lenze, enz.
- Chemische traagheid:Bestand tege zure en alkalie (behalve fluorwaterzuur), gesjik veur natte ètsingprocesse.
- Elektrische isolatie:High resistivity (>1016 Ω·cm), ideaal veur isolere vaan substraote of hoeg-apparate.
Toepassinge
Productie vaan houfgeleiders
- Fotomaskersubstrate
- EUV-litografie-onderdeile
- Waferverwerkingsdragers
Fotonica & Optoelektronica
- Optische golfgeleiersubstrate
- Laserdiodemontage
- Kwantumberekeningscomponente
Speciaal toepassinge
- MEMS-resonatorbases
- Ruimtetelescoopoptica
- Hoog-energie lasersysteme
Produktieproces
- Ruwmateriaalsynthese:Geproduceerd via dampaafzètting (b.v. SiCl₄-oxidatie) of zuivering vaan natuurlik kwarts.
- Smelte en vörme:Smelte bij hoeg-temperatuur gevolg door afkeule in stave of direk trekke in stange.
- Knippe:In dunne wafers gesjneeje mit behulp vaan diamantdraadzaoge of lasersnijden.
- Slijpe en poetse:Chemisch mechanisch poetse (CMP) bereik ‘n gladheid op nanometer-niveau.
- Reiniging en inspectie:Verwijdering vaan deilkes en metaalbesmettinge, gevolg door defecte en parameterteste.
Eigensjappe
|
Fysieke eigensjappe |
Waardes |
|
Zuuverheid |
＞99.99% |
|
Dichtheid |
2,2g/cm3 |
|
Doorziechtegheid |
＞90% |
|
Mohs-heldheid |
5.5--6.5 |
|
Vervormingspunt |
1280 graod |
|
Zachtingspunt |
1750 graod |
|
Gloeipunt |
1250 graode |
|
Specifieke wermte (20 - 350 graod ) |
670J/kg. siefer |
|
Thermische geleiding (20 graode) |
1,4W/m. siefer |
|
Warmtegeleiding (w/mk,1000 graode) |
1.0-1.2 |
|
Brekingsindex |
1.4585 |
|
Coëffisjent vaan thermische oetbreijing |
5.510 -7cm/cm. siefer |
|
Heit - wèrkende temperatuur |
1750--2050 graad |
|
Kort - deenstemperatuur |
1450 graod |
|
Lang - deenstemperatuur |
1100 graod |
|
Chemische eigensjappe |
Waardes |
|
Zoerbestendig |
Sterk zoer (behalve HF), Sterk alkali, organische oplossing |
|
Hoge temperature Corrosiebestendig |
Oetsjtekend |
|
Metaal onzuiverheidsinhoud |
＜5 ppm |
|
Elektrische eigensjappe |
Waardes |
|
Weerstand |
7107Ω.cm |
|
Isolatiesterkte |
250~400Kv/cm |
|
Diëlektrische constante |
3.7~3.9 |
|
Dielektrische absorptiecoëffisjent |
＜410-4 |
|
Diëlektrische verliescoëffisjent |
＜110-4 |
|
Mechanische eigensjappe |
Waardes |
|
Druksterkte |
1100MPa |
|
Buigingsterkte |
67MPa |
|
Treksterkte |
48MPa |
|
Poissonsverhouding |
0.14~0.17 |
|
Young's modulus |
72000MPa |
|
Sjeermodulus |
31000MPa |
FAQ
V1: Wat is de maximale gruutde vaan kwartswafersubstraote die besjikbaar zien?
A: Standaardproductie tot 300mm diameter, mit 450mm prototypes besjikbaar veur R&D.
V2: Kinste aangepaste dikteprofiele beeje?
A: Jao - we kinne producere:
- Gewiegde wafers (veur lasertoepassinge)
- Precisie tapse ontwerpe
- Mesa-gestructureerde oppervlakke
V3: Welk schoonmaakprotocol raoj geer aan?
A: Standaard RCA-reinigingsproces:
1. Organische verwijdering (H2SO4:H2O2)
2. Ionische reiniging (HCl:H2O2)
3. HF-last veur hydrofiel oppervlak
Heitelik: kwarts wafer substraat, China kwarts wafer substraat fabrikanten, leveranciers, fabriek
Snede Onderzeuk
Uw Mot Ouch zoe wie
