
Kwartswaferreinigingsboot
‘n Kwartswaferreinigingsboot is ‘n apparaat dat weurt gebruuk veur ‘t reinigen vaan wafer in ‘t productieproces vaan houfgeleiders.
Materiaal: 99,99% kwarts
Besjrieving
Kenmirreke
- Hoge temperatuurweerstand
- Corrosiebestandheid
- Slijtvastheid
- Gemakkelik te reinigen
Gebruuk: verwijder oppervlaktebesmettinge
Verzeker de productiekwaliteit vaan houfgeleiderchips.
Applicatie
1. Veur-diffusiereiniging
Weurt gebruuk um wafers te transportere door natte bank- of immersie-reinigingsstappe (beveurbeeld RCA-reiniging) um organische, metaal- en deilkesverontreiniginge te verwijdere veur diffusie- of oxidatieprocesse bij hoeg-temperatuur.
2. Nao-CMP (Chemische Mechanische Planarisatie) Reiniging
Houdt wafers vas tijdens na-poetsereiniginge um misreste en oppervlaktedefecte te eliminere, wat optimale platheid veur de volgende lithografiestappe verzekert.
3. Front-End-of-Line (FEOL) Fabricatie
Weurt gebruuk in kritieke FEOL-reinigingsfases boe-in ultra-zuvere oppervlakke nuudig zien veur gate-oxidegreuj, epitaxiale aafzetting of ion-implantatie.
4. Back-End-of-Line (BEOL) Processing
Ondersteunt wafers tijdens post-etse of post-afzettingsreiniging um fotoweerstand, etse bijprodukte en metale oonzuiverhede te verwijdere nao interconnectvörming.
5. Geavanseerde verpakking
Maak ‘t reinigen vaan wafer-niveau meugelek veurtot ‘t in 2.5D/3D IC-verpakking weurt gebleve, wat besmettingsvrije interfaces veur betrokke verbindinge verzekert.
6. Fotovoltaïsche productie
Weurt gebruuk in de productie vaan zonnecelle um siliciumsubstrate te reinigen, wat de oppervlaktekwaliteit verbetert veur ‘n verbeterde leechabsorptie en energie-umzèttingsefficiëntie.
Eigensjappe
|
Fysieke eigensjappe |
Waardes |
|
Zuuverheid |
>99.99% |
|
Dichtheid |
2,2g/cm3 |
|
Doorziechtegheid |
>90% |
|
Mohs-heldheid |
5.5--6.5 |
|
Vervormingspunt |
1280 graod |
|
Zachtingspunt |
1750 graod |
|
Gloeipunt |
1250 graode |
|
Specifieke wermte (20 - 350 graod ) |
670J/kg. siefer |
|
Thermische geleiding (20 graode) |
1,4W/m. siefer |
|
Warmtegeleiding (w/mk,1000 graode) |
1.0-1.2 |
|
Brekingsindex |
1.4585 |
|
Coëffisjent vaan thermische oetbreiing |
5.510 -7cm/cm. siefer |
|
Heit - werktemperatuur |
1750--2050 graad |
|
Kort - deenstemperatuur |
1450 graod |
|
Lang - deenstemperatuur |
1100 graode |
|
Chemische eigensjappe |
Waardes |
|
Zoerbestendig |
Sterk zoer (behalve HF), Sterk alkali, organische oplossing |
|
Hoge temperature Corrosiebestendig |
Oetsjtekend |
|
Metaal onzuiverheidsinhoud |
<5 ppm |
|
Elektrische eigensjappe |
Waardes |
|
Weerstand |
7107Ω.cm |
|
Isolatiesterkte |
250~400Kv/cm |
|
Diëlektrische constante |
3.7~3.9 |
|
Dielektrische absorptiecoëffisjent |
<410-4 |
|
Diëlektrische verliescoëffisjent |
<110-4 |
|
Mechanische eigensjappe |
Waardes |
|
Druksterkte |
1100MPa |
|
Buigingsterkte |
67MPa |
|
Treksterkte |
48MPa |
|
Poissonsverhouding |
0.14~0.17 |
|
Young's modulus |
72000MPa |
|
Sjeermodulus |
31000MPa |
Reinigingsmethodes
Onderdompelingsreiniging:
Zet de wafer in de reinigingsboot, dompel de reinigingsboot daan in de reinigingsvloeistof, en vergroet ‘t kontak tusse de reinigingsvloeistof en ‘t waferoppervlak door de waferboot op te tille um ‘t reinigingseffect te verbetere.
Spuitreiniging:
Zet de reinigingsboot rechtop in de spuitkamer en gebruuk de spuitkop um de reinigingsvloeistof op ‘t oppervlak vaan de wafer te spuite um besmettinge te verwijdere.
Belang vaan ‘t schoonmake vaan beut:
- Zörg veur de zuiverheid vaan de wafer: ‘n Zuver waferoppervlak is cruciaal veur de productiekwaliteit vaan houfgeleiderchips, en de reinigingsboot sjpeelt ‘n essentiële rol in ‘t reinigingsproces.
- Verzeker de betrouwbaarheid vaan houfgeleiderchips: Verzeker de betrouwbaarheid vaan chips en verminder productdefecte door oppervlaktebesmettinge te verwijdere.
- Verbeter de opbrèngs vaan houfgeleiderchips: Verbeter de zuuverheid vaan wafers, en verbeter zoedoende de opbrèngs vaan houfgeleiderchips.
Heitelik: kwarts wafer reinigingsboot, China kwarts wafer reinigingsboot fabrikanten, leveranciers, fabriek
Snede Onderzeuk
Uw Mot Ouch zoe wie







