Kwartswaferreinigingsboot

Kwartswaferreinigingsboot

‘n Kwartswaferreinigingsboot is ‘n apparaat dat weurt gebruuk veur ‘t reinigen vaan wafer in ‘t productieproces vaan houfgeleiders.
Materiaal: 99,99% kwarts

Besjrieving

Kenmirreke

 

  • Hoge temperatuurweerstand
  • Corrosiebestandheid
  • Slijtvastheid
  • Gemakkelik te reinigen

Gebruuk: verwijder oppervlaktebesmettinge

Verzeker de productiekwaliteit vaan houfgeleiderchips.

 

Applicatie

1. Veur-diffusiereiniging

Weurt gebruuk um wafers te transportere door natte bank- of immersie-reinigingsstappe (beveurbeeld RCA-reiniging) um organische, metaal- en deilkesverontreiniginge te verwijdere veur diffusie- of oxidatieprocesse bij hoeg-temperatuur.

2. Nao-CMP (Chemische Mechanische Planarisatie) Reiniging

Houdt wafers vas tijdens na-poetsereiniginge um misreste en oppervlaktedefecte te eliminere, wat optimale platheid veur de volgende lithografiestappe verzekert.

3. Front-End-of-Line (FEOL) Fabricatie

Weurt gebruuk in kritieke FEOL-reinigingsfases boe-in ultra-zuvere oppervlakke nuudig zien veur gate-oxidegreuj, epitaxiale aafzetting of ion-implantatie.

4. Back-End-of-Line (BEOL) Processing

Ondersteunt wafers tijdens post-etse of post-afzettingsreiniging um fotoweerstand, etse bijprodukte en metale oonzuiverhede te verwijdere nao interconnectvörming.

5. Geavanseerde verpakking

Maak ‘t reinigen vaan wafer-niveau meugelek veurtot ‘t in 2.5D/3D IC-verpakking weurt gebleve, wat besmettingsvrije interfaces veur betrokke verbindinge verzekert.

6. Fotovoltaïsche productie

Weurt gebruuk in de productie vaan zonnecelle um siliciumsubstrate te reinigen, wat de oppervlaktekwaliteit verbetert veur ‘n verbeterde leechabsorptie en energie-umzèttingsefficiëntie.

 

Eigensjappe

 

Fysieke eigensjappe

Waardes

Zuuverheid

>99.99%

Dichtheid

2,2g/cm3

Doorziechtegheid

>90%

Mohs-heldheid

5.5--6.5

Vervormingspunt

1280 graod

Zachtingspunt

1750 graod

Gloeipunt

1250 graode

Specifieke wermte (20 - 350 graod )

670J/kg. siefer

Thermische geleiding (20 graode)

1,4W/m. siefer

Warmtegeleiding (w/mk,1000 graode)

1.0-1.2

Brekingsindex

1.4585

Coëffisjent vaan thermische oetbreiing

5.510 -7cm/cm. siefer

Heit - werktemperatuur

1750--2050 graad

Kort - deenstemperatuur

1450 graod

Lang - deenstemperatuur

1100 graode

 

Chemische eigensjappe

Waardes

Zoerbestendig

Sterk zoer (behalve HF), Sterk alkali, organische oplossing

Hoge temperature Corrosiebestendig

Oetsjtekend

Metaal onzuiverheidsinhoud

<5 ppm

 

Elektrische eigensjappe

Waardes

Weerstand

7107Ω.cm

Isolatiesterkte

250~400Kv/cm

Diëlektrische constante

3.7~3.9

Dielektrische absorptiecoëffisjent

<410-4

Diëlektrische verliescoëffisjent

<110-4

 

Mechanische eigensjappe

Waardes

Druksterkte

1100MPa

Buigingsterkte

67MPa

Treksterkte

48MPa

Poissonsverhouding

0.14~0.17

Young's modulus

72000MPa

Sjeermodulus

31000MPa

 

Reinigingsmethodes

 

Onderdompelingsreiniging:

Zet de wafer in de reinigingsboot, dompel de reinigingsboot daan in de reinigingsvloeistof, en vergroet ‘t kontak tusse de reinigingsvloeistof en ‘t waferoppervlak door de waferboot op te tille um ‘t reinigingseffect te verbetere.

 

Spuitreiniging:

Zet de reinigingsboot rechtop in de spuitkamer en gebruuk de spuitkop um de reinigingsvloeistof op ‘t oppervlak vaan de wafer te spuite um besmettinge te verwijdere. 

 

Belang vaan ‘t schoonmake vaan beut:

  • Zörg veur de zuiverheid vaan de wafer: ‘n Zuver waferoppervlak is cruciaal veur de productiekwaliteit vaan houfgeleiderchips, en de reinigingsboot sjpeelt ‘n essentiële rol in ‘t reinigingsproces.
  • Verzeker de betrouwbaarheid vaan houfgeleiderchips: Verzeker de betrouwbaarheid vaan chips en verminder productdefecte door oppervlaktebesmettinge te verwijdere.
  • Verbeter de opbrèngs vaan houfgeleiderchips: Verbeter de zuuverheid vaan wafers, en verbeter zoedoende de opbrèngs vaan houfgeleiderchips.

Heitelik: kwarts wafer reinigingsboot, China kwarts wafer reinigingsboot fabrikanten, leveranciers, fabriek

Uw Mot Ouch zoe wie

Winkelzachte