Produktie Process vaan Anti Reflectief Film

Technologische proces
Geef greuijmateriale en gaasbronne: greujmateriaol veur de anti-reflectiefilms, zoe wie SiO in sommige oetvoeringsmiddele, en ‘t versjaffe vaan gaasbronne die euvereinkomme mèt de greujmateriale, zoe wie SiH ₄ ₄, N ₂ O en N ⁄ …-gasbroncombinaties.
Formatie vaan de anti-reflectielaog: Gebruuk dezelfde greujmateriaol um ten minste twie anti-reflectielaoge vaan anti-reflectiefilms op de substraotlaog te vörme. De substraotlaog kin SiO-laog, Si-laog en absorpsielaog in sequentie bevatte langs de riechting vaan de filmgreuj. Door de twie{2}}laog anti-reflectielaog (ierste anti-reflectielaog en ‘t twiede anti-reflectielaog) es veurbeeld te numme, weurt ‘t gevörmp door ‘n epitataxiaal greuijproces (zoe es plasma verbeterde chemische damp-aafzettingsmethode PECVD). De specifieke stappe zien de volgende:
Verwèrking: Nao de reinigingsproces vaan houfgeleider op de substraotlaog, plaots de substraotlaog op de CVD-aofzettingsapparatuur.
Instellinge vaan apparatuur: Controleer de boveste elektrodetemperatuur vaan de CVD-aafzettingsapparatuur tot 200-300 graod en de oonderste elektrodetemperatuur tot 250-350 graod .
Greuj vaan de ierste anti-reflectielaog: Pas de ierste depositoparameters vaan de CVD-aafzettingsapparatuur aon, boe-oonder de ierste volumestromingssnelheid vaan SiH ₄, N ₂ O, en N ₂, de ierste RF-krach vaan de CVD-aafzettingsapparatuur, de ierste dunne dunne filmtied, enz., of eder combinasie daovan, um de ierste anti refleksielaog te kweke mèt ‘n dikte vaan 10-200nm en ‘n breukingsindex vaan 1,4-1,71.
Greuj vaan ‘n twiede anti-reflectielaog: Pas de twiede aafzettingsparameters aon vaan de CVD-aafzettingsapparatuur aon, boe-oonder de twiede volume stromingssnelheid vaan SiH ₄, N ₂ O en N ₂, de twiede RF-krach vaan de CVD-aofzettingsapparatuur, de twiede dunne filmtied, enz., of eder combinatie, um ‘n twiede anti reflectieslaog te kweke op de ierste anti-reflectielaog, mèt ‘n dikte bereik vaan 10-200nm en ‘n breukingsindex vaan 1,4-1,71.

Technologische veurdeile
Door ‘tzelfde greuijmateriaal te gebruke, kin de anti-reflectiefilm ‘tzelfde anti-reflecteffek bereike ten opziechte vaan gestapelde anti-reflectiefilms vaan versjèllende materiale, boedoor ‘t soort gaasbronne weurt verminderd, boedoor ‘t lestigheid vaan ‘t veurbereidingsproces weurt vergroet en de veurbereidingsruimte en ‘t werkgebeed door ‘t opslaag en ‘t gebruuk vaan gaasbronne tijdens ‘t veurbereidingsproces verhoege.

‘t Produktieproces vaan hybride SiO ₂/TiO ₂ anti-reflectiefilm

Technologische proces
Veurbereiding vaan substraot: Selecteer transparante substraote zoe wie glaas, organisch glaas, polyimidefilms, enz., en voer de behandeling vaan vlekke oet um ‘n sjchone en sjtóf{1}}vrije oppervlak veur te zörge. Indien nudeg, kin allein éinátáátide of dubbel{4}}zije polssing weure oetgevoerd um de leechtransmissie-efficiëntie te verbetere.
Veurbereiding vaan filmprecursor: tetraetoxysiel (TEOS) en tetraktyltitanaat (TBT) were touwgevoog aon ethanol mèt NH ₄ OH in ‘n bepaold deil, en de reaksie weert gehawwe veur 9{1}12 oer um ‘n transparant sol-gelsysteem te kriege.
Coaten en geneze: ‘t veurbereide solgelsysteem weurt eve gecoat op ‘t transparante substraot, en spinne coating, spuite, borstel en aandere regelinge kinne were gebruuk. Nao ‘t coating weurt de hybride SiO ₂/TiO ₂ ₂ ₂ filmveurcursor in ‘n oven geplaots veur ‘t geneze vaan en ‘n biejende behandeling, waat ‘n multi{1}}laog structuur vörmp.
Circulaire coating: Herhaol ‘t coating- en curenproces totdat ‘t gewenste anti-reflectie-effect weurt verkrege. Versjèllende coatingtieje en sequences zulle de prestaties vaan anti-reflecterende films beïnvlode, en oonderzeuk en optimalisatie zien nudeg.
Oppervlaktebehandeling: Um de sjterkheid en stabiliteit vaan de anti-reflecterende film te vergroete, kin ‘n laog hydrofiele en hydrofobische polymeer op ‘t oppervlak vaan de anti-reflecterende film were gecoat.

‘t Produktieproces vaan infraroed anti-reflecterende film
Technologische proces
De infraroed anti-reflectiefilm is gebaseerd op silicium en gecoat mèt anti-reflectiefilms aon beide kante vaan ‘t substraot. De structuur vaan de filmsysteem vaan de anti-reflectiefilm is onaafhankelik vaan mekaar es (HL) ^ S, boe bei H de Si-laog vertegenwoordig, L de SiO-laog vertegenwoordig, S vertegenwoordig de periood vaan de basisstructuur vaan HL en de waarde vaan S is ‘n gehele getalle tusse 3-6. De Si-laog is grenzend aon ‘t substraot, en de SiO-laog ligk op ‘t oppervlak. ‘t Lietproces weert gebruuk um de filmlaog aon ‘t substraot te bevestige, mèt de SiO-filmlaog es de boetenste laog, waat ‘n hoege oppervlakte helle heet en gein extra besjermende laog nuudig heet. Daoneve heet SiO ‘n liegere breukingsindex, waat ‘t oppervlak vaan de oppervlakte kin vermindere en de infraroed euverdrag kin vermindere.

‘t Produktieproces vaan hoege{{0} temperatuurbestandheidsbestendig CO ₂ laser anti-reflecterende film
technologie
Materiaal veur smelte: Sjeije veur smeltbehandeling weurt oetgevoerd op ytriumfluoride, calciumytriumfluoride en zinksenc-sleegfilmmateriale um onzuiverhede in de filmmateriale te verwijdere.
De positiefilmlaog: De ierste ytriumfluoride-laog, de ytriumclciumfluoride-laog, zinkseleidelaog en twiede ytriumfluoride-laog weurt opeinvolgend op ‘n zinkseleide-substraat laog geplaotst mèt ‘n dikte vaan 3 ± 0,1 mm door vacuümdamping. ‘t Bedekking vaan eeder laog is mie es 95% vaan ‘t oppervlak vaan de substraotlaog. De fysieke dikte veur eder laog zien de volgende: de fysieke dikte vaan de ierste ytriumfluoride-laog is 95-100 nanometers; De fysieke dikte vaan de ytterbium calciumfluoride-laog is 860-870 nanometers; De fysieke dikte vaan de zink selenidelaog is 240-250 nanometers; De fysieke dikte vaan de twiede ytriumfluoride-laog is 95-100 nanometers.
 

Technologische veurdeile
De veurbereide anti-reflectiemembraan heet ‘n eenvoudige structuur en verfijnde ontwerp. De veer laogcombinatie heet de kenmerke vaan hoege temperatuurweerstand, hoege sjik, stevige membraanlaog, aanvullende spanning tusse membraanlaoge en neet breuk vaan membraanlaoge. ‘t Kin aon de continue werking vaan oonderdeile oonder hoege temperatuursomstandighede voldoon, en de materiale die in eeder laog weure gebruuk, zien neet radioactief, waat gein sjaoj zal veroorzake aon operators en ‘t milieu.